Background Image
Previous Page  12 / 14 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 12 / 14 Next Page
Page Background

В установке [4] в качестве накопителя энергии ИПУ использо-

ван накопитель энергии с одиночной емкостью. Были исследова-

ны два режима с двумя различными емкостями

C

Σ

,

1

750

мкФ и

C

Σ

,

2

3000

мкФ. При этом напряжении зарядки в обоих случаях

U

0

= 3

,

5

кВ запасаемая энергия накопителей соответственно бы-

ла равна

W

Σ

,

1

4

,

6

кДж и

W

Σ

,

2

16

,

3

кДж. Электродный канал

представлял собой систему коаксиальных электродов со средним ра-

диусом внутреннего электрода (катода)

r

1

= 12

,

5

мм, радиусом анода

r

2

= 20

мм и длиной канала

l

= 80

мм. Индуктивность

L

0

оценивается

в 800 нГн, а декременты затухания соответственно

ε

1

1

,

ε

2

2

.

Ускоряемая масса

m

0

составила

12

10

5

кг (при

β

0

,

5

).

Силовой параметр составил

A

1

0

,

15

,

A

2

1

,

4

. Следовательно,

во втором режиме работы ИППУ (при указанном значении параметра

A

2

) примененный в работе [4] накопитель с одиночной емкостью явля-

ется оптимальным. Расчетное значение скорости плазменного образо-

вания, определенное по формуле (8), составило

v

к

6

км/с. Данное

значение удовлетворительно совпадает с экспериментально измерен-

ной (5 км/c).

В первом режиме (

A

1

0

,

15

) расчетная скорость составит

v

к

2

,

5

км/с (экспериментальное значение составляло 3,3 км/с). При дан-

ном значении силового параметра

A

оптимальным вариантом схемно-

го решения накопителя является двухзвенная формирующая линия.

Применение такой двухзвенной линии при сохранении значения па-

раметра

A

позволит при прочих равных условиях поднять значение

скорости плазменного образования на выходе из ИПУ до

5

км/с.

Заключение.

1. Сформулирована физико-математическая модель

процессов ускорения плазменного образования в ИППУ атмосферного

давления с накопителями энергии в виде

n

-звенной емкостной форми-

рующей линии.

2. На основе выполненных численных расчетов установлены осо-

бенности динамики ускорения формирующегося плазменного образо-

вания. Определены зависимости скорости генерируемого плазменного

образования от основных электротехнических и энергетических пара-

метров емкостного накопителя энергии ИППУ.

3. Сформулированы основные рекомендации по выбору схемного

исполнения емкостного накопителя ИПУ. Показано, что для двухсту-

пенчатых ИППУ атмосферного давления оптимальной при безразмер-

ном силовом параметре

A

1

является однозвенная схема емкостно-

го накопителя, а при

A <

0

,

3

0

,

4

— двухзвенная LC формирующая

линия.

ЛИТЕРАТУРА

1.

Гаркуша И.Е.

,

Дереповский Н.Т.

,

Казаков О.Е.

Модификация конструкционных

и инструментальных материалов при облучении плазменными потоками // Во-

просы атомной науки и техники. 1997. С. 172–175.

ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение” 2015. № 4 97