Background Image
Previous Page  3 / 9 Next Page
Information
Show Menu
Previous Page 3 / 9 Next Page
Page Background

Рис. 1. Оптическая схема при-

бора:

1

и

2

— источник и приемник из-

лучения;

3

— кювета с исследуе-

мой средой;

4

— лазерный луч от

источника;

5

— лазерный луч, от-

раженный от поверхности среды

процесса — стеклование и кристаллиза-

цию. В зависимости от состава среды

степень влияния этих процессов может

меняться. Изменение состава всегда ве-

дет к изменению механизма застывания

материала. Из этого следует, что фик-

сация характера взаимодействия лазер-

ного излучения с поверхностью веще-

ства, претерпевающего фазовые превра-

щения при застывании, может служить

инструментом определения его техноло-

гических параметров.

Для реализации этого метода был со-

здан прибор, оптическая схема которого показана на рис. 1.

Было установлено, что для точного замера зеркальной составляю-

щей отраженного лазерного излучения необходимо выполнение сле-

дующих условий: излучение не должно экранироваться стенками кю-

веты, т.е. углы падения и отражения не должны быть слишком малы;

диаметр кюветы должен быть достаточным, чтобы лазерное излуче-

ние, падающее на поверхность образца, не попадало в область мениска

у края кюветы; отраженное от дна кюветы и от поверхности лазер-

ное излучение должно полностью восприниматься фоточувствитель-

ной поверхностью приемника излучения; схема расположения прибо-

ров должна обеспечивать минимальные размеры конструкции, так как

зона контроля входит в термостатический блок, расширение которого

снижает диапазон температур исследования. Реализация этих условий

дала возможность определить оптимальные характеристики прибора:

Длина волны лазерного излучения, нм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650

Оптимальный угол расположения источника света и обратный ему

угол расположения приемника отраженного света, град . . . . . . . . . . 27

Угол расположения приемника рассеянного света, град . . . . . . . . . . 90

Диаметр кюветы, мм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . не менее 10

Высота кюветы, мм . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . от 7 до 8

Толщина исследуемого слоя материала в кювете, мм . . . . . . . . . . . . . не менее 5

Температура охлаждения образцов,

С . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . до – 50

Для оценки погрешности измерений был разработан способ обра-

ботки экспериментальных данных по методу скользящей средней. Ме-

тод использует функцию управления (изменения) данными на основе

измерений некоторого числа предыдущих точек. Оптимальная функ-

ция управления была выбрана экспериментально и может быть пред-

ставлена в следующем виде:

U

=

k

(

X

(

i

+1)

ср

X

i

ср

)

,

102 ISSN 0236-3941. Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. “Машиностроение”. 2015. № 4